Il grafene è un materiale costituito da uno strato monoatomico di atomi di carbonio (avente cioè uno spessore equivalente alle dimensioni di un solo atomo).
Come suggerisce la desinenza -ene del nome, gli atomi sono ibridati nella forma sp², e si dispongono quindi a formare esagoni con angoli di 120°. In presenza di imperfezioni (pentagoni o ettagoni invece degli esagoni), la struttura si deforma: quando ci sono 12 pentagoni, si ha un fullerene. La presenza di singoli pentagoni o ettagoni provoca invece increspature della superficie.
Il grafene viene ottenuto in laboratorio dalla grafite. I cristalli di grafite vengono trattati con una soluzione fortemente acida a base di acido solforico e nitrico, e successivamente ossidati ed esfoliati fino a ottenere cerchi di grafene con gruppi carbossilici ai bordi. Mediante trattamento con cloruro di tionile (SOCl2), queste molecole periferiche vengono trasformate in cloruri acilici (alogenuri acilici composti da un acile e un atomo di cloro) e poi in ammidi. Il risultato è un cerchio di grafene solubile in tetraidrofurano, tetraclorometano e dicloroetano.
Le scoperte sul grafene e le sue applicazioni (realizzazione di un transistor) conseguite nel 2004[1] sono valse il premio Nobel per la fisica 2010 ai due fisici Andre Geim e Konstantin Novoselov dell'Università di Manchester. Nonostante i problemi iniziali riscontrati nell'applicabilità del grafene a singolo strato, i due fisici hanno evoluto il materiale fino alla costruzione del cosiddetto grafene a doppio strato, il quale garantisce più resistenza e applicabilità di utilizzo.[2]
Nei laboratori dell'ITME (Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych, in italiano: Istituto di Tecnologia per i Materiali Elettronici) presso l'Università di Varsavia sono studiati metodi di produzione del grafene a basso costo ed alta efficacia fin dal 2007. Questi studi hanno portato l'ateneo a diventare il detentore di numerosi brevetti che lo posizionano ai primi posti al mondo nella ricerca su questo nuovissimo materiale[3].
Il governo polacco sta attivamente sostenendo la ricerca sul grafene tramite il programma "Innowacyjna Gospodarka" (in italiano Economia Innovativa) che ha già portato al deposito di numerosi brevetti sul grafene prodotto secondo il metodo polacco
Il grafene mostra delle ottime caratteristiche come conduttore, ed è oggetto di intensi programmi di studio al fine di utilizzarlo per la realizzazione di sistemi a semiconduttori. Nel 2010, un gruppo di ricerca della IBM è riuscito a realizzare un transistor al grafene con una frequenza di funzionamento massima di 100 GHz e lunghezza del gate di 240 nm; Nel 2011, sempre IBM è riuscita a realizzare un transistor dello stesso materiale con una frequenza di 155 GHz[6] e lunghezza del gate di 40 nm, sempre nel 2010 un altro test con il grafene ha toccato il record di velocità di un transistor all’UCLA raggiungendo i 300 GHz. Analoghi transistor realizzati con tecnologie all'arseniuro di gallio hanno una frequenza massima di 40 GHz.[7]
Un esperimento di osmosi inversa è stato condotto dai ricercatori del Massachussets Institute of Technology negli Stati Uniti. "La struttura molecolare peculiare del grafene consente di creare dei fori di qualsiasi dimensione sulla sua superficie. Questo ci ha permesso di far passare l'acqua da una parte e i sali dall'altra", hanno spiegato i ricercatori sulla rivista dell'American Chemical Society. "La dimostrazione di questo processo di osmosi inversa non è nulla di nuovo, ma erano necessari equipaggiamenti ingombranti e un alto consumo energetico. Tramite il grafene, invece, il processo di desalinizzazione si può svolgere 1000 volte più velocemente e a un costo energetico pari a zero
ma come la gente si fà in 4 x cercare di trovare racchette tipo le PT57 pastose e pesanti...e loro fanno "frustini metallici"... 
